在某些设备N的板上，IRF4905晶体管被烧坏，以至于破裂，因此可以查看其内部结构。
根据文档的IRF4905特性：P沟道场效应晶体管。直流电在20 C-74 A，脉动电流高达260A。导通电阻-0.02欧姆。通过HEXFET技术可实现低电阻，其本质是场效应晶体管不是单个晶体管，而是并联连接的许多（数十万个）小型场效应晶体管。
晶体管的最大功耗为200W。作为如此出色指标的证明，是烧尽的纺织品和破裂的晶体管（一直坚持到最后）。
晶体本身的面积为24 mm2。晶体厚度0.3毫米。焊接在共晶上。
焊接是用铝线完成的。可见淡黄色的花-这是碳沉积物。控制电极的直径约为50μm，三根粗线的直径分别为0.5mm。粗线显示出焊接工具的痕迹。
从原理上讲，International Rectifier的HEXFET技术如下所示：
根据文档，IRF4905晶体管是在第五代HEXFET技术上实现的。
可以在新窗口中打开照片并更详细地查看。通过每张照片，您可以更深入地了解潜水的规模。
〜100倍变焦
约200倍
约400 X
约1000倍
这就是FET矩阵的顶部拓扑结构。
我试图用过硫酸铵渗出顶部金属化层。原来是脏的，但是可以看到六角形的清晰轮廓。六边形的近似尺寸为5-7微米（这是5000-7000 nm）。
感谢您的关注。