英特尔一般在哪里？才勉强爬过10海里？
我们决定找出这些纳米能测量什么？衡量它们是如此重要还是仅仅是营销？英特尔真的真的过时了吗？
在介绍智能手机和计算机中的处理器之前，请先了解一些基本知识，然后说明处理器如何工作？
认识这个晶体管！所有处理器的关键元素。实际上，晶体管就是开关。电流流过-这是1，电流不流过-这是0。这允许在二进制系统中进行计数-所有处理器的基础！
以前，晶体管是真空灯泡。有条件-开启或关闭：一或零。
有很多这样的灯泡可以使一切正常工作。例如，参与制造氢弹的1946年ENIAC计算机拥有1.75万个真空管，重27吨，占地167平方米。同时，他吃了150千瓦的电。
这是值得关注的关键点之一。这些1.75万个灯泡的功耗再次为150 kW。
但是在1960年代初期，发生了一场革命-场效应晶体管的发明和开始生产。他们以硅为最初的半导体-因此，众所周知的硅树脂，啊哈，那就是硅谷！
然后就开始了！晶体管的尺寸已大大减小，以至于它们消耗的电量大大减少，占用的空间也更少。并且计算中的晶体管数量开始以惊人的速度增加！并拥有计算系统的强大功能！
1971年发布的首款工业处理器Intel 4004具有2250个晶体管。
现在，例如，在这些晶体管的A13 Bionic中，有85亿只-比地球上的人还多！那么，再见…
但是现代晶体管实际上减少了多少，它们有多小？简单的比较，易于理解-例如，一根头发！
使用7纳米工艺技术制造的近150万个现代晶体管可放在其切口上！
也就是说，您可以在人发的厚度上放置的晶体管数量是Intel 4004处理器的4倍！
为什么要减少？一切在这里或多或少都是显而易见的！
首先，晶体管越小，消耗的功率越少。您已经通过电子管的示例了解了这一点。
其次，模具中有更多的模具，这意味着生产率提高了。双重利益！
在这里，我们继续介绍技术流程或技术节点的概念-它是什么？
如果要尽可能简化，那么技术过程的价值一直以来就是晶体管通道的最小长度-如图所示，不应将其与整个晶体管的尺寸相混淆。
也就是说，技术过程的规模越小越好-这就是公司试图传达给我们的东西，但是一切都那么简单吗？
这里还有其他重要的事情：晶体管是不同的，它们不仅在尺寸上而且在结构上也不同。
经典的，平面的或扁平的晶体管在最近的2012年就不再使用了。他们让位于三维晶体管，将通道扩展到三维，从而减小了其厚度，从而减小了晶体管本身。这种结构称为FinFET，现已使用。
这项技术极大地减少了晶体管的尺寸，最重要的是，它大大增加了单位面积的晶体管数量，这是关键的性能指标之一！
但是，技术过程的概念在今天是否和几年前一样？
在整个行业中观察到一个非常重要的趋势-每个后续技术过程都比前一个过程减少30％，这有助于在保持相同功耗的情况下使晶体管数量增加一倍-例如，130 * 0.7 = 90 nm，90 * 0.7 = 65 nm，然后高达45 nm，32 nm等。
这仍然符合摩尔定律：
集成电路芯片上的晶体管数量每24个月翻一番。
这个数字游戏的背后是什么？
我们已经发现，技术过程是晶体管栅极的尺寸，即通过或不通过电流的通道的长度，而这个尺寸是关键！
但是事实证明，只有当我们谈论的是旧的32 nm时，这才是正确的-一切都是准确的，即使您使用标尺对其进行测量！并记录了该参数！
但是直到2009年，技术流程的概念及其名称才被排除在所谓的“国际半导体技术发展计划”之内！
简单来说-今天在这些过程中指示的数字仅仅是营销标签！
制造商狂奔不已，开始将10纳米，7纳米和一般5纳米称为所有材料，而有人已经在谈论3纳米！您可以将所有这些都用引号引起来，作为处理器一代的简单名称！
这是在台积电工厂使用7纳米工艺技术生产的Apple A12处理器的结构示例。注意左下角的比例尺。
如果我们比较比例并进行计算，事实证明通道宽度为8纳米，尽管该过程被正式称为7纳米。
现在，让我们比较一下英特尔的10nm工艺和台积电的7nm工艺。
顺便说一句，知道今天的台积电是一家为AMD生产处理器的公司，并且还生产Apple A13和Snapdragon 865-因此请考虑一下我们正在一次比较所有它们的芯片。
注意尺寸。您可以立即看到，英特尔的10nm与台积电的7nm几乎相同！因此，英特尔与AMD和其他制造商相差不远-他们刚刚失去了营销战吗？在这里，一切也不是那么简单！
突然之间，英特尔在某些方面甚至超越了台积电。
以10毫米Intel芯片的1平方毫米为例，与苹果，高通或AMD的7纳米晶体管相比，装配的晶体管大约多5％。
但是，与此同时，密度增加也有缺点-加热增加！
这意味着英特尔晶体更强大，但由于密度高，它们会发热更多。因此，我们得到了同样臭名昭著的节流。
台积电（TSMC）生产的处理器-苹果高通（Apple Qualcomm）和AMD（AMD）恰恰受益于更大尺寸的相同尺寸晶体管的布局。
它们的操作方式更多地是内部体系结构的问题，而不是这些过程的名称中的数字。
不要以为我忘了N7FF +架构-是的，它甚至比Intel更密集，但是如果我们谈论AMD Zen 2，ApplA13和Snapdragon 865芯片-都是基于TSMC 7FF制成的，并且它失去了Intel密度。
麒麟990 5G是唯一已经使用新型N7FF +技术通过极端UV光刻技术制造的处理器。当然，这里的晶体管密度大大增加-高达15％！
从理论上讲，制造商只是走了一条略有不同的道路，如果您展望未来，就会清楚地知道是哪一条：这标志着下一代芯片的发展。
我们对每平方毫米晶体管的密度感兴趣！
根据这些数据，英特尔在晶体管密度上超过三星和台积电的比例都超过了30％-尽管事实上我们已经在比较一家制造商的7 nm和另一制造商的5 nm。
这种增加来自何处？如何增加密度-质子将仅爆炸或仅在高级冷却系统中起作用？
不一定以这种方式。关键在于，英特尔计划改用结构完全不同的晶体管-称为HNS-水平纳米片-这将使我们取得飞跃！
但是三星也有类似的计划-他们朝着全能门FET结构走了另一条路。
这就是现实中的样子-并不是那么可爱，但请考虑一下它们有多小！
结果，我们意识到在7 nm和5 nm的市场名称背后，有一场架构之战，并且将来我们将能够找出谁的道路是正确的。
可以肯定地说-在未来几年内，我们将在所有移动和台式机芯片中实现巨大飞跃。
关于这一点，我不想结束处理器的主题，因为我们研究了很多信息和文档，包括在生产过程中对其进行整理。例如，您听说过此过程“极紫外光刻”吗？如果在手指上，这是一种幻想-激光撞击后，一滴锡变成等离子：这就是现代处理器的制造方式。但是这些装置本身只能由世界上的一家公司来创建，所有巨头都依赖它。